製品情報 【半導体】 研究用基板
単結晶基板
基本仕様 |
|
---|---|
特殊方位 |
|
高品質基板 |
X線ロッキングカーブ半値幅(FWHM)を一定以下に指定できます。 例えば、50や30arcsec以下に規定することができます。 |
![単結晶基板](https://www.d-edp.jp/_wpedp/wp-content/uploads/2022/04/img_semiconductor_001.jpg)
![単結晶基板](https://www.d-edp.jp/_wpedp/wp-content/uploads/2022/04/7a175769cede66f29bb991617a0f3dcf.jpg)
モザイク結晶基板
- 10x10mm単結晶を2~9個の単結晶を接続して製作します。
- 各単結晶は(100)面のみとなります。
- サイズ:1辺<30mm、厚さ:0.03~3mm の範囲内で製作します。
![モザイク結晶基板1](https://www.d-edp.jp/_wpedp/wp-content/uploads/2022/04/img_semiconductor_002.jpg)
![モザイク結晶基板2](https://www.d-edp.jp/_wpedp/wp-content/uploads/2022/04/img_semiconductor_003.jpg)
(111)単結晶基板
基本仕様 |
|
---|
![ダイヤモンド量子デバイス開発用単結晶基板](https://www.d-edp.jp/_wpedp/wp-content/uploads/2022/04/997e5f63386edafea34ddb8d98f699e1.png)
高ボロン濃度ダイヤモンド
自立結晶
B濃度 |
2×1020~4×1020/cm3 |
---|---|
比抵抗 |
20mΩcm以下 |
厚さ |
0.2mm |
形状 |
7×7mm以下 |
表面状態 |
両面研磨(Ra<5nmもしくは<2nm) |
![自立結晶](https://www.d-edp.jp/_wpedp/wp-content/uploads/2022/04/d478f7ede5df9f5aa67c1d57c63c5b02.jpg)
高ボロン濃度エピタキシャル成長基板
B濃度 |
2×1020~4×1020/cm3 |
---|---|
厚さ |
0.03(研磨が必要な場合は0.05)~0.2mm |
形状 |
単結晶8×8mm以下、モザイク結晶18×18mm以下 |
基板 |
当社通常基板、厚さ0.3~0.5mm |
![高ボロン濃度エピタキシャル成長基板](https://www.d-edp.jp/_wpedp/wp-content/uploads/2022/04/8d28d741aa8e8003c1845f3e6ad0dff2.jpg)
エピ成長基板
1.Bドープエピ基板
- B濃度:
- 2~10×1016/cm3
- 厚さ:
- 0.5~10µm
- 移動度:
- 1500cm2/Vs以上
2.高純度エピ層付基板
- N濃度:
- <1ppm
- 厚さ:
- 10~100µm
- その他:
- モザイク基板も使用可、30µm以上の厚さなら表面の研磨も可能
お客様のご希望に幅広く対応
お問い合わせの際はご希望の仕様をご指定ください。
アイテム | サイズ(mm) | 備考 |
---|---|---|
RH555PP | 5×5×0.3 | 両面研磨 |
RH10103PP | 10×10×0.3 | 両面研磨 |
RH333KPP | 3×3×0.3 | 標準基板 (111)面、両面研磨 |
RC333KPP | 3×3×0.3 | 低窒素基板 (111)面、両面研磨 |
RB552PP | 5×5×0.2 | 低抵抗Bドープ基板 |
RB443PPE20 | 4×4×0.3 | 低抵抗Bドープエピ層200μm付基板 |
RH553PPN50PF | 5×5×0.3 | 高純度エピ層50μm付基板 |
RH20205PV | 20×20×0.5 | モザイク基板、片面研磨 |
お問い合わせ
EDPの技術・製品に関するご質問・お問い合わせはお気軽にご連絡ください
06-6170-3871
受付時間:平日8時30分~17時30分