製品情報 【半導体】 研究用基板

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単結晶基板

基本仕様
不純物:
窒素;8ppm以下、B及びSi;SIMSで計測限界以下
結晶方位:
(100)面 3°内外のオフ角
研磨:
通常研磨Ra<5nm、精密研磨Ra<2nm
サイズ:
1x1~10x10mm、厚さ:0.03~3mm
特殊方位
  1. ① (110)や(111)基板:片方の辺が3mm以内(3x3mm、6x3mm等)で製作可能です。
  2. ② オフ角基板;基本面方位から0~5°の傾角で、方向を指定できます。
高品質基板

X線ロッキングカーブ半値幅(FWHM)を一定以下に指定できます。 例えば、50や30arcsec以下に規定することができます。

単結晶基板

モザイク結晶基板

  • 10x10mm単結晶を2~9個の単結晶を接続して製作します。
  • 各単結晶は(100)面のみとなります。
  • サイズ:1辺<30mm、厚さ:0.03~3mm の範囲内で製作します。
モザイク結晶基板1
モザイク結晶基板2

エピ成長基板

1.Bドープエピ基板

B濃度:
2~10×1016/cm3
厚さ:
0.5~10µm
移動度:
1500cm2/Vs以上

2.高純度エピ層付基板

N濃度:
<1ppm
厚さ:
10~100µm
その他:
モザイク基板も使用可、30µm以上の厚さなら表面の研磨も可能

お客様のご希望に幅広く対応

お問い合わせの際はご希望の仕様をご指定ください。

アイテム サイズ(mm) 備考
RH333Pf2 3×3×0.3 オフアングル2°付基板
RH555PP 5×5×0.5 両面研磨
RH333KPP 3×3×0.3 (111)面、両面研磨
RH25255PV 25×25×0.5 モザイク基板、片面研磨

お問い合わせ

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