製品情報 【半導体】 研究用基板

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単結晶基板

基本仕様
不純物：
窒素；8ppm以下、B及びSi；SIMSで計測限界以下
結晶方位：
(100)面　3°内外のオフ角
研磨：
通常研磨Ra＜5nm、精密研磨Ra＜2nm
サイズ：
1ｘ1～15x15mm、厚さ：0.03～3mm
特殊方位
  1. ① (110)や(111)基板：片方の辺が3mm以内（3x3mm、6x3mm等）で製作可能です。
  2. ② オフ角基板；基本面方位から0～5°の傾角で、方向を指定できます。
高品質基板

X線ロッキングカーブ半値幅（FWHM)を一定以下に指定できます。 例えば、50や30arcsec以下に規定することができます。
単結晶基板


単結晶基板


モザイク結晶基板

  • 10x10mm単結晶を2～9個の単結晶を接続して製作します。
  • 各単結晶は(100)面のみとなります。
  • サイズ：1辺＜30ｍｍ、厚さ：0.03~3mm の範囲内で製作します。
モザイク結晶基板1
モザイク結晶基板2

(111)単結晶基板

基本仕様
不純物：
①低窒素基板　窒素；0.5ppm以下、B及びSi：SIMSで計測限界以下
②標準基板　窒素：8ppm以下、B及びSi；SIMSで計測限界以下
結晶方位：
(111)面　3°内外のオフ角
研磨：
通常研磨Ra＜5nm
サイズ：
片方の辺が3mm以内（3x3mm、6x3mm等）で製作可能
厚さ：
0.2mm～0.5mm
ダイヤモンド量子デバイス開発用単結晶基板


高ボロン濃度ダイヤモンド

自立結晶

B濃度

2×1020～4×1020/cm3
比抵抗

20mΩcm以下
厚さ

0.2mm
形状

7×7mm以下
表面状態

両面研磨（Ra<5nmもしくは<2nm）
自立結晶


高ボロン濃度エピタキシャル成長基板

B濃度

2×1020～4×1020/cm3
厚さ

0.03（研磨が必要な場合は0.05）～0.2mm
形状

単結晶8×8mm以下、モザイク結晶18×18mm以下
基板

当社通常基板、厚さ0.3～0.5mm
高ボロン濃度エピタキシャル成長基板

エピ成長基板

1.Bドープエピ基板

B濃度：
2～10×1016/cm3
厚さ：
0.5～10µm
移動度：
1500cm2/Vs以上

2.高純度エピ層付基板

N濃度：
＜1ppm
厚さ：
10～100µm
その他：
モザイク基板も使用可、30µm以上の厚さなら表面の研磨も可能

お客様のご希望に幅広く対応

お問い合わせの際はご希望の仕様をご指定ください。

アイテム サイズ（mm） 備考
RH555PP 5×5×0.3 両面研磨
RH10103PP 10×10×0.3 両面研磨
RH333KPP 3×3×0.3 標準基板
(111)面、両面研磨
RC333KPP 3×3×0.3 低窒素基板
(111)面、両面研磨
RB552PP 5×5×0.2 低抵抗Bドープ基板
RB443PPE20 4×4×0.3 低抵抗Bドープエピ層200μm付基板
RH553PPN50PF 5×5×0.3 高純度エピ層50μm付基板
RH20205PV 20×20×0.5 モザイク基板、片面研磨
【人工宝石】種結晶 【応用製品】
ヒートシンク・光学窓 【切削工具】 工具用素材

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